聲表面波器件作為一種快速、超小型的頻率控制、選擇和信號處理器件，對電子和通信系統(tǒng)的發(fā)展起著極為重要的作用。目前，聲表面波器件不斷高頻小型化，功能集成化，對圖形的微細化和線寬的精確控制要求越來越高，濕法腐蝕方法不能滿足線寬精確控制的要求，干法刻蝕也會引起側(cè)向腐蝕以及對基片的刻蝕，剝離工藝可以解決以上問題。
1 剝離工藝原理和技術(shù)
1.1 剝離工藝流程
首先在潔凈的晶片上涂上一層或多層光刻膠，進行曝光、烘烤、顯影、堅膜等工藝處理，在基片上得到呈倒“八”字形光刻膠剖面圖形，然后通過電子束蒸發(fā)，在基片表面獲得不連續(xù)的金屬層，最后剝離掉光刻膠掩模膜層及其上的金屬層，而與基片緊密接觸的金屬層則保留下來。在亞微米及深亞微米工藝中，光刻膠層很薄，光刻膠厚度相對于金屬厚度的比例變小，同時由于線條很細，很容易使光刻膠側(cè)壁形成較致密的連續(xù)金屬膜，導致傳統(tǒng)的槽式剝離方法很難滿足剝離要求。
1.2 剝離工藝特點
利用剝離技術(shù)制作微細金屬圖形具有設備投資少、剝離過程無物理和化學損傷、線條寬度和形狀可以精確控制、基片表面不易污染等優(yōu)點。為了能夠有效地剝離光刻掩模膜層，必須滿足以下要求：
（1）光刻膠分辨率及一致性應優(yōu)于器件指條的設計要求；
（2）光刻膠厚度是金屬厚度2倍以上；
（3）光刻膠在顯影后能形成上大下小的剖面結(jié)構(gòu)，能防止光刻膠剖面的側(cè)面形成連續(xù)金屬膜；
（4）光刻膠在顯影堅膜后受環(huán)境溫度、濕度以及鍍膜烘烤影響而導致的形變要??；
（5）光刻膠在鍍膜后要容易被溶劑完全溶解，且溶解使用的溶劑不能腐蝕器件金屬和基片。
2結(jié)束語
分別使用0.25mm和0.33mm直徑的金剛線在金剛石多線切割機上對上述排線控制系統(tǒng)及排線控制方法進行了驗證。試驗結(jié)果表明，使用電子凸輪技術(shù)進行排線控制可達到排線整齊、均勻性好、適應性強、控制算法簡單等效果。在設備線輪尺寸、線徑、排線間距等發(fā)生改變時，只需改變排線參數(shù)即可生成新的電子凸輪表，該技術(shù)完全可以用于多線切割機高速運行時的排線控制。
以上內(nèi)容僅供參考。
